|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 46 van 52 gevonden artikelen
| Titel: |
The effect of annealing on the Sn-doped (−201) β-Ga2O3 bulk |
| Auteur: |
Feng, Boyuan He, Gaohang Zhang, Xiaodong Chen, Xiao Li, Zhengcheng Xu, Leilei Huang, Rong Feng, Jiagui Wu, Ying Jia, Zhitai Yu, Hongyu Zeng, Zhongming Ding, Sunan |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 147 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 46 van 52 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |