|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth and properties of the GaN cap layer strongly influenced by the composition of the underlying AlGaN |
| Auteur: |
Moszak, K. Pucicki, D. Grodzicki, M. Olszewski, W. Majchrzak, D. Serafińczuk, J. Gorantla, S. Hommel, D. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 136 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |