|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 60 gevonden artikelen
| Titel: |
GaN/InGaN double quantum well (DQW) gate structure for GaN-on-Si based normally-off AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) |
| Auteur: |
Biswas, Debaleen Tsuboi, Takuya Egawa, Takashi |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 135 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 60 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |