|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
Controlled epitaxial growth of GaN nanostructures on sapphire (11–20) using laser molecular beam epitaxy for photodetector applications |
| Auteur: |
Aggarwal, V. Ramesh, C. Tyagi, P. Gautam, S. Sharma, A. Husale, Sudhir Kumar, M. Senthil Kushvaha, S.S. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 125 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |