|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Influences of coexisting O2 in H2O-annealing ambient on thermal oxidation kinetics and MOS interface properties on 4H–SiC (1–100) |
| Auteur: |
Chu, Qiao Noborio, Masato Shimizu, Sumera Kita, Koji |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 116 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |