|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Ab initio study of the effect of hydrogen passivation on boron-oxygen-carbon related defect complexes in silicon |
| Auteur: |
Abdurrazaq, A. Raji, Abdulrafiu T. Meyer, Walter E. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 110 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 20 gevonden artikelen
| volgende >> |