|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
A quasi-two-dimensional charge transport model of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) |
| Auteur: |
Asgari, A. Kalafi, M. Faraone, L. |
| Verschenen in: |
Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures |
| Paginering: | Jaargang 28 (2005) nr. 4 pagina's 9 p. |
| Jaar: |
2005 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |