|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 93 gevonden artikelen
| Titel: |
Corrigendum to “Write once read many times resistance switching memory based on allinorganic perovskite CsPbBr3 quantum dot” |
| Auteur: |
Chen, Zhiliang Zhang, Yating Yu, Yu Che, Yongli Jin, Lufan Li, Yifan Li, Qingyan Li, Tengteng Dai, Haitao Yao, Jianquan |
| Verschenen in: |
Optical materials |
| Paginering: | Jaargang 112 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 93 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |