|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 47 van 67 gevonden artikelen
| Titel: |
PL characterization of GaN nanolayer obtained by N ion implantation into Si3N4/GaAs |
| Auteur: |
Coelho-Júnior, H. Maltez, R.L. |
| Verschenen in: |
Optical materials |
| Paginering: | Jaargang 101 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 47 van 67 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |