|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of dislocation density of GaN with single- and double-buffer layer grown on sapphire (0001) by RF-plasma assisted MBE |
| Auteur: |
Zhao, Zhibiao Qi, Ming Li, Aizhen |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 95 (2002) nr. 3 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |