|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 14 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparison of ICl- and IBr-based plasma chemistries for inductively coupled plasma etching of GaN, InN and AlN |
| Auteur: |
Hahn, Y.B. Hays, D.C. Cho, H. Jung, K.B. Abernathy, C.R. Donovan, S.M. Pearton, S.J. Han, J. Shul, R.J. |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 60 (1999) nr. 2 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science S.A. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 14 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |