|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 81 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of defect structure in GaN epilayers doped with implanted Si+ by RBS/c method |
| Auteur: |
Pągowska, K.D. Kozubal, M. Taube, A. Trajnerowicz, A. Kruszka, R. Gołaszewska-Malec, K. Dynowska, E. Jakieła, R. Barcz, A. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 450 () nr. C pagina's 248-251 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 81 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |