|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparison of defect structure in Si and Ge ion implanted GaN epilayers by RBS/channeling |
| Auteur: |
Pągowska, K.D. Kozubal, M. Taube, A. Guziewicz, M. Gołaszewska-Malec, K. Kruszka, R. Jakieła, R. Piotrowska, A. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 444 (2019) nr. C pagina's 74-79 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |