|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Defect levels induced by double substitution of B and N in 4H-SiC |
| Auteur: |
Igumbor, E. Danga, H.T. Omotoso, E. Meyer, W.E. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 442 (2019) nr. C pagina's 41-46 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |