|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Depth profiles of implanted 18F, 79Br, and 132Xe in silicon in the energy range 85–600 keV |
| Auteur: |
Tan, Chunyu Xia, Yueyuan Yang, Hong Sun, Xiufang Liu, Jiarui Zheng, Zongshuang Zhu, Peiran |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 42 (1989) nr. 1 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1989 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |