|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 42 van 55 gevonden artikelen
| Titel: |
Study of damage formation and annealing of implanted III-nitride semiconductors for optoelectronic devices |
| Auteur: |
Faye, D. Nd. Fialho, M. Magalhães, S. Alves, E. Ben Sedrine, N. Rodrigues, J. Correia, M.R. Monteiro, T. Boćkowski, M. Hoffmann, V. Weyers, M. Lorenz, K. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 379 (2016) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 42 van 55 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |