|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
HRXRD and Raman study of irradiation effects in InGaN/GaN layers induced by 2.3MeV Ne and 5.3MeV Kr ions |
| Auteur: |
Zhang, L.M. Zhang, C.H. Zhang, L.Q. Jia, X.J. Han, L.H. Xu, C.L. Zhang, Y. Jin, Y.F. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 269 (2011) nr. 10 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |