|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 70 gevonden artikelen
| Titel: |
Dose-rate and temperature dependent statistical damage accumulation model for ion implantation into silicon |
| Auteur: |
Hernández-Mangas, J.M. Arias, J. Marqués, L.A. Ruiz-Bueno, A. Bailón, L. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 228 (2005) nr. 1-4 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2005 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 70 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |