|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 78 gevonden artikelen
| Titel: |
An enhanced approach to numerical modeling of heavily irradiated silicon devices |
| Auteur: |
Moscatelli, F. Santocchia, A. Passeri, D. Bilei, G.M. MacEvoy, B.C. Hall, G. Placidi, P. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 186 (2002) nr. 1-4 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 78 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |