|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 69 van 75 gevonden artikelen
| Titel: |
The effect of dose rate on ion implanted impurity profiles in silicon |
| Auteur: |
Tian, S. Yang, S.-H. Morris, S. Parab, K. Tasch, A.F. Kamenitsa, D. Reece, R. Freer, B. Simonton, R.B. Magee, C. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 112 (1996) nr. 1-4 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1996 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 69 van 75 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |