|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 5 gevonden artikelen
| Titel: |
Numerical simulation of creation-passivation kinetics of interface traps in irradiated n-channel power VDMOSFETs during thermal annealing with various gate biases |
| Auteur: |
Ristić, Goran S. Pejović, Momčilo M. Jakšić, Aleksandar B. |
| Verschenen in: |
Microelectronic engineering |
| Paginering: | Jaargang 40 (1998) nr. 2 pagina's 10 p. |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 5 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |