|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 70 van 74 gevonden artikelen
| Titel: |
The effects of process temperature on the work function modulation of ALD HfO2 MOS device with plasma enhanced ALD TiN metal gate using TDMAT precursor |
| Auteur: |
Kim, Young Jin Lim, Donghwan Han, Hoon Hee Sergeevich, Andrey Sokolov Jeon, Yu-Rim Lee, Jae Ho Son, Seok Ki Choi, Changhwan |
| Verschenen in: |
Microelectronic engineering |
| Paginering: | Jaargang 178 (2017) nr. C pagina's 284-288 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 70 van 74 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |