Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 32 van 77 gevonden artikelen
 
 
  Growth mechanism of In–doped β–Ga2O3 nanowires deposited by radio frequency powder sputtering
 
 
Titel: Growth mechanism of In–doped β–Ga2O3 nanowires deposited by radio frequency powder sputtering
Auteur: Lee, S.Y.
Choi, K.H.
Kang, H.C.
Verschenen in: Materials letters
Paginering: Jaargang 176 (2016) nr. C pagina's 6 p.
Jaar: 2016
Inhoud:
Uitgever: Elsevier B.V.
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 32 van 77 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland