|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
A physical model for dual gate a-InGaZnO thin film transistors based on multiple trapping and release mechanism |
| Auteur: |
Li, Linan Ba, Wenqiang Wang, Wei Li, Ling Xu, Guangwei Wang, Lingfei Ji, Zhuoyu Lu, Congyan Banerjee, Writam |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 86 () nr. C pagina's 1-6 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |