|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Linearly varying surface-implanted n− layer used for improving trade-off between breakdown voltage and on-resistance of RESURF LDMOS transistor |
| Auteur: |
He, Jin Zhang, Xing Yuan Wang, Yang |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 32 () nr. 12 pagina's 969-971 |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |