|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
The influence of strong electric field on the interface in the Al–SiO2-n-Si Auger transistor |
| Auteur: |
Rogachev, A.A. Kalganov, V.D. Mileshkina, N.V. Ostroumova, E.V. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 31 () nr. 11-12 pagina's 905-911 |
| Jaar: |
2000 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |