|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
Double gate MOS-thyristor devices with and without forward bias safe operating area capability: the insulated base MOS-controlled thyristor and the dual MOS-gated thyristor |
| Auteur: |
Flores, D Godignon, P Jordà, X Vellvehi, M Fernández, J Millán, J |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 30 () nr. 6 pagina's 591-597 |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |