|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Fabrication and characteristics of In0.48Ga0.52P/In0.20Ga0.80As/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor grown by solid-source molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Yoon, S.F. Gay, B.P. Zheng, H.Q. Ang, K.S. Wang, H. Ng, G.I. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 30 () nr. 1 pagina's 23-28 |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |