|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 44 gevonden artikelen
| Titel: |
Anisotropic surface diffusion at crystal facet transitions during localized Ga-In-As-P growth by MOMBE |
| Auteur: |
Wachter, M. Menke, C. Heinecke, H. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 28 () nr. 8-10 pagina's 841-848 |
| Jaar: |
1997 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 44 gevonden artikelen
| volgende >> |