|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
A process compatible SiC trench MOSFET integrated with double p+-polySi/SiC HJD for enhanced switching performance |
| Auteur: |
Zhu, Bangmin Guo, Jianbin Yang, Yuxing Wang, Yanghao Sun, Qingqing Zhang, David Wei Xu, Hang |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 161 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |