|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 36 van 39 gevonden artikelen
| Titel: |
Single-step electron beam evaporation for integrated dual-metal gate and gate field-plate in GaN-on-Si MIS-HEMTs |
| Auteur: |
Gao, Sheng Wu, Yanjun Luo, Xingyu Yu, Shengqi Wang, Qi |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 159 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 36 van 39 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |