|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 53 van 56 gevonden artikelen
| Titel: |
TCAD analysis of gate leakage and threshold drift in GaN devices with dual-gate structure |
| Auteur: |
Xie, Hao-jie Wang, Ying Liu, Shi-Jin Yu, Cheng-Hao Guo, Hao-Min |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 156 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 53 van 56 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |