|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 24 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigations of SiC lateral MOSFET with high-k and equivalent variable lateral doping techniques |
| Auteur: |
Kong, Moufu Deng, Hongfei Luo, Yingzhi Zhu, Jiayan Yi, Bo Yang, Hongqiang Hu, Qiang Meng, Fanxin |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 150 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 24 van 27 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |