|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
A behavioral model for electron irradiation effect on the DC performance in InP-based HEMT |
| Auteur: |
Meng, S.H. Han, X.L. Ding, P. Mei, B. Su, Y.B. Zhang, J.L. Yun, H.Q. Jin, Z. Zhong, Y.H. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 148 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 18 gevonden artikelen
| volgende >> |