|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
Revolutionizing Fe doped back barrier AlGaN/GaN HEMTs: Unveiling the remarkable 1700V breakdown voltage milestone |
| Auteur: |
Jebalin, I.V.Binola K Franklin, S. Angen G, Gifta P, Prajoon Nirmal, D. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 147 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |