|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Change of the electron effective mass in extremely heavily doped n-type Si obtained by ion implantation and laser annealing |
| Auteur: | |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 14 () nr. 3 pagina's 91 |
| Jaar: |
1983 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Benn Electronics Publications Ltd, Luton |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |