|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Nonalloyed ohmic contact development with n+ InGaN regrowth method and analysis of its effect on AlGaN/GaN HEMT devices |
| Auteur: |
Toprak, A. Özbay, E. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 135 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |