|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of doping concentration and recess depth to achieve enhancement mode operation in β-Ga2O3 MOSFET |
| Auteur: |
Sharma, Roshan Patnaik, Akash Sharma, Pankaj |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 135 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |