|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 3 gevonden artikelen
| Titel: |
The epitaxial crystalline silicon-oxynitride layer on SiC(0001): Formation of an ideal SiC–insulator interface |
| Auteur: |
Tochihara, Hiroshi Shirasawa, Tetsuroh |
| Verschenen in: |
Progress in surface science |
| Paginering: | Jaargang 86 (2011) nr. 11-12 pagina's 33 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 3 gevonden artikelen
| << vorige |