|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 217 van 250 gevonden artikelen
| Titel: |
The influence of ion current density and target temperature on kinetics of accumulation of radiation defects at ion bombardment and on electrophysical properties of silicon doped by implantation of boron and phosphorus |
| Auteur: | |
| Verschenen in: |
Vacuum |
| Paginering: | Jaargang 25 (1975) nr. 4 pagina's 1 p. |
| Jaar: |
1975 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 217 van 250 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |