|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
The threshold voltage degradation model of N Channel VDMOSFETs under PBT stress |
| Auteur: |
Ye, Xuerong Zhang, Kaixin Chen, Cen Li, Zhongwei Wang, Yue Zhai, Guofu |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 91 (2018) nr. P1 pagina's 46-51 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |