|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 45 van 46 gevonden artikelen
| Titel: |
Ultra-high voltage electron microscopy investigation of irradiation induced displacement defects on AlGaN/GaN HEMTs |
| Auteur: |
Sasaki, Hajime Hisaka, Takayuki Kadoiwa, Kaoru Oku, Tomoki Onoda, Shinobu Ohshima, Takeshi Taguchi, Eiji Yasuda, Hidehiro |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 81 (2018) nr. C pagina's 312-319 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 45 van 46 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |