|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 36 van 39 gevonden artikelen
| Titel: |
Threshold voltage peculiarities and bias temperature instabilities of SiC MOSFETs |
| Auteur: |
Aichinger, Thomas Rescher, Gerald Pobegen, Gregor |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 80 (2018) nr. C pagina's 68-78 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 36 van 39 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |