|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 66 gevonden artikelen
| Titel: |
Direct observation of changes in the effective minority-carrier lifetime of SiN x -passivated n-type crystalline-silicon substrates caused by potential-induced degradation and recovery tests |
| Auteur: |
Nishikawa, Naoyuki Yamaguchi, Seira Ohdaira, Keisuke |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 79 (2017) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 66 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |