|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of channel length and high-K oxide thickness on subthreshold analog/RF performance of graded channel and gate stack DG-MOSFETs |
| Auteur: |
Swain, Sanjit Kumar Dutta, Arka Adak, Sarosij Pati, Sudhansu Kumar Sarkar, Chandan Kumar |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 61 (2016) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 27 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |