|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
3-D simulation study of single event effects of SiGe heterojunction bipolar transistor in extreme environment |
| Auteur: |
Zhang, Jin-xin He, Chao-hui Guo, Hong-xia Tang, Du Xiong, Cen Li, Pei Wang, Xin |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 55 (2015) nr. 8 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |