|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 29 gevonden artikelen
| Titel: |
Device linearity and intermodulation distortion comparison of dual material gate and conventional AlGaN/GaN high electron mobility transistor |
| Auteur: |
Kumar, Sona P. Agrawal, Anju Chaujar, Rishu Gupta, R.S. Gupta, Mridula |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 51 (2011) nr. 3 pagina's 10 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 29 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |