|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 48 gevonden artikelen
| Titel: |
High-k praseodymium oxide passivated AlGaN/GaN MOSFETs using P2S5/(NH4)2S X +UV interface treatment |
| Auteur: |
Lin, Chao-Wei Chiu, Hsien-Chin Lin, Che-Kai Fu, Jeffrey S. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 51 (2011) nr. 2 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 48 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |