|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 59 gevonden artikelen
| Titel: |
Hole tunneling from valence band and hot-carrier induced hysteresis effect in 0.13μm partially depleted silicon-on-insulator n-MOSFETs |
| Auteur: |
Zhou, Jianhua Pang, Albert Cao, Steam Zou, Shichang |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 51 (2011) nr. 12 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 59 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |