|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 59 gevonden artikelen
| Titel: |
High fluence 1.8MeV proton irradiation effects on n-type MOS capacitors |
| Auteur: |
Arinero, R. Zhang, E.X. Rezzak, N. Schrimpf, R.D. Fleetwood, D.M. Choï, B.K. Hmelo, A.B. Mekki, J. Touboul, A.D. Saigné, F. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 51 (2011) nr. 12 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 59 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |